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MRF6VP2600HR6
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 88--108 MHz
300 400 500 600 700
800
20
30
35
85
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 22. Broadband CW Power Gain and Drain
Efficiency versus Output Power ? 88--108 MHz
200
100
26
25
24
23
22
65
60
55
50
40
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
29
75
98 MHz
70
G
ps
, POWER GAIN (dB)
110
86
Gps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 23. CW Power Gain and Drain Efficiency
versus Frequency ? 88--108 MHz
102
98
94
90
27
26
72
82
80
76
74
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
24.5
24
22.5
22
26.5
25.5
25
78
23.5
23
106
VDD
=50Vdc,IDQ
= 150 mA
Gps
ηD
108 MHz
88 MHz
98 MHz
88 MHz
108 MHz
28
27
21
80
45
81
79
75
73
77
VDD=50Vdc,IDQ
= 150 mA
Pout= 600 W, CW
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